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CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.3V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±10V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 4-DSBGA
- Séries
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V
- Dissipation de puissance (max)
- 1.8W (Ta)
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- Package / Boîte
- 4-UFBGA, DSBGA
- Autres noms
- 296-48118-1
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 35 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 862pF @ 6V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.8nC @ 4.5V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 2.5V, 4.5V
- Tension drain-source (Vdss)
- 12V
- Description détaillée
- N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 1.6A (Ta)
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