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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Vgs (Max)
8V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
3-PICOSTAR
Séries
FemtoFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)
500mW (Ta)
Emballage
Cut Tape (CT)
Package / Boîte
3-XFDFN
Autres noms
296-37779-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)
12V
Description détaillée
N-Channel 12V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
2.1A (Ta)
Numéro de pièce de base
CSD13381

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