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CSD13201W10


MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

    Demande de prix et délais

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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±8V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    4-DSBGA (1x1)
    Séries
    NexFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 1A, 4.5V
    Dissipation de puissance (max)
    1.2W (Ta)
    Emballage
    Tape & Reel (TR)
    Package / Boîte
    4-UFBGA, DSBGA
    Autres noms
    296-41412-2
    CSD13201W10-ND
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Surface Mount
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Délai de livraison standard du fabricant
    35 Weeks
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    462pF @ 6V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 4.5V
    type de FET
    N-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
    Tension drain-source (Vdss)
    12V
    Description détaillée
    N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.6A (Ta)

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