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STL8P2UH7
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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±8V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
PowerFlat™ (2x2)
Séries
DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)
2.4W (Tc)
Emballage
Original-Reel®
Package / Boîte
6-PowerWDFN
Autres noms
497-14997-6
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2390pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
type de FET
P-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)
20V
Description détaillée
P-Channel 20V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
8A (Tc)

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