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STL8DN6LF3
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Package composant fournisseur
- PowerFlat™ (5x6)
- Séries
- Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30 mOhm @ 4A, 10V
- Puissance - Max
- 65W
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- Package / Boîte
- 8-PowerVDFN
- Autres noms
- 497-13169-2
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 38 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 668pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 13nC @ 10V
- type de FET
- 2 N-Channel (Dual)
- Fonction FET
- Logic Level Gate
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
- Description détaillée
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 20A
- Numéro de pièce de base
- ST*8DN
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