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STB10N65K3
STMicroelectronics

STB10N65K3

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Vgs (Max)
±30V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
D2PAK
Séries
SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)
150W (Tc)
Emballage
Original-Reel®
Package / Boîte
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms
497-14032-6
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
650V
Description détaillée
N-Channel 650V 10A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
10A (Tc)

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