STB10N60M2
Demande de prix et délais
STB10N60M2 sont disponibles, nous pouvons fournir STB10N60M2, utilisez le formulaire de demande de devis pour demander STB10N60M2 pirce et délai d'exécution.Atosn.com un distributeur de composants électroniques professionnel.Nous avons un grand inventaire et pouvons une livraison rapide, contactez-nous aujourd'hui et notre représentant des ventes vous fournira le prix et les détails d'expédition sur la pièce # STB10N60M2 .Incluez les problèmes de dédouanement pour correspondre à votre pays, nous avons une équipe de vente professionnelleet équipe technique, nous sommes impatients de travailler avec vous.
Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- D2PAK
- Séries
- MDmesh™ II Plus
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 600 mOhm @ 3A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 85W (Tc)
- Emballage
- Original-Reel®
- Package / Boîte
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Autres noms
- 497-14528-6
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 400pF @ 100V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 13.5nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 600V
- Description détaillée
- N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 7.5A (Tc)
- Numéro de pièce de base
- STB10N60
produits similaires
- STMicroelectronics STB10N60M2
- Fiche technique STB10N60M2
- Fiche technique STB10N60M2
- Fiche technique pdf STB10N60M2
- Télécharger la fiche technique STB10N60M2
- Image STB10N60M2
- Pièce STB10N60M2
- ST STB10N60M2
- STMicroelectronics STB10N60M2