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CSD25202W15
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.05V @ 250µA
- Vgs (Max)
- -6V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 9-DSBGA
- Séries
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 26 mOhm @ 2A, 4.5V
- Dissipation de puissance (max)
- 500mW (Ta)
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- Package / Boîte
- 9-UFBGA, DSBGA
- Autres noms
- 296-39837-2
CSD25202W15-ND
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1010pF @ 10V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.5nC @ 4.5V
- type de FET
- P-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 1.8V, 4.5V
- Tension drain-source (Vdss)
- 20V
- Description détaillée
- P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 4A (Ta)
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