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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD25304W1015

CSD25304W1015


MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

    Demande de prix et délais

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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    1.15V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±8V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    6-DSBGA
    Séries
    NexFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Dissipation de puissance (max)
    750mW (Ta)
    Emballage
    Tape & Reel (TR)
    Package / Boîte
    6-UFBGA, DSBGA
    Autres noms
    296-40005-2
    CSD25304W1015-ND
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Surface Mount
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    595pF @ 10V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    4.4nC @ 4.5V
    type de FET
    P-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
    Tension drain-source (Vdss)
    20V
    Description détaillée
    P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3A (Ta)

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