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CSD18542KCS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-220-3
Séries
NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)
200W (Tc)
Emballage
Bulk
Package / Boîte
TO-220-3
Autres noms
296-42271-5
CSD18542KCS-ND
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
35 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5070pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
60V
Description détaillée
N-Channel 60V 200A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
200A (Ta)

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