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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD18537NKCS

CSD18537NKCS


MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±20V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    TO-220-3
    Séries
    NexFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 25A, 10V
    Dissipation de puissance (max)
    94W (Tc)
    Emballage
    Tube
    Package / Boîte
    TO-220-3
    Autres noms
    296-36456-5
    CSD18537NKCS-ND
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Through Hole
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Request inventory verification / Request inventory verification
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1480pF @ 30V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
    type de FET
    N-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
    Tension drain-source (Vdss)
    60V
    Description détaillée
    N-Channel 60V 50A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    50A (Tc)

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