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STL24N65M2
STMicroelectronics

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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±25V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    PowerFlat™ (8x8) HV
    Séries
    MDmesh™ M2
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 7A, 10V
    Dissipation de puissance (max)
    125W (Tc)
    Emballage
    Tape & Reel (TR)
    Package / Boîte
    8-PowerVDFN
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Surface Mount
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1060pF @ 100V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
    type de FET
    N-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
    Tension drain-source (Vdss)
    650V
    Description détaillée
    N-Channel 650V 14A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    14A (Tc)

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