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STGD4M65DF2
STMicroelectronics

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Paramètres de produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Condition de test
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C
12ns/86ns
énergie de commutation
40µJ (on), 136µJ (off)
Package composant fournisseur
DPAK
Séries
M
Temps de recouvrement inverse (trr)
133ns
Puissance - Max
68W
Emballage
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms
497-16963-2
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée
Standard
type de IGBT
Trench Field Stop
gate charge
15.2nC
Description détaillée
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)
16A
Courant - Collecteur (Ic) (max)
8A

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