STFW3N150
Demande de prix et délais
STFW3N150 sont disponibles, nous pouvons fournir STFW3N150, utilisez le formulaire de demande de devis pour demander STFW3N150 pirce et délai d'exécution.Atosn.com un distributeur de composants électroniques professionnel.Nous avons un grand inventaire et pouvons une livraison rapide, contactez-nous aujourd'hui et notre représentant des ventes vous fournira le prix et les détails d'expédition sur la pièce # STFW3N150 .Incluez les problèmes de dédouanement pour correspondre à votre pays, nous avons une équipe de vente professionnelleet équipe technique, nous sommes impatients de travailler avec vous.
Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- ISOWATT-218FX
- Séries
- PowerMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9 Ohm @ 1.3A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 63W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- ISOWATT218FX
- Autres noms
- 497-10005-5
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 42 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 939pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 29.3nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 1500V
- Description détaillée
- N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 2.5A (Tc)
produits similaires
- STMicroelectronics STFW3N150
- Fiche technique STFW3N150
- Fiche technique STFW3N150
- Fiche technique pdf STFW3N150
- Télécharger la fiche technique STFW3N150
- Image STFW3N150
- Pièce STFW3N150
- ST STFW3N150
- STMicroelectronics STFW3N150