STBV68
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
- 400V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 5V @ 100mA, 250mA
- Transistor Type
- NPN
- Package composant fournisseur
- TO-92-3
- Séries
- -
- Puissance - Max
- 900mW
- Emballage
- Bulk
- Package / Boîte
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Fréquence - Transition
- -
- Description détaillée
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 600mA 900mW Through Hole TO-92-3
- Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 3 @ 250mA, 10V
- Courant - Collecteur Cutoff (Max)
- -
- Courant - Collecteur (Ic) (max)
- 600mA
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