STB120N4F6
Demande de prix et délais
STB120N4F6 sont disponibles, nous pouvons fournir STB120N4F6, utilisez le formulaire de demande de devis pour demander STB120N4F6 pirce et délai d'exécution.Atosn.com un distributeur de composants électroniques professionnel.Nous avons un grand inventaire et pouvons une livraison rapide, contactez-nous aujourd'hui et notre représentant des ventes vous fournira le prix et les détails d'expédition sur la pièce # STB120N4F6 .Incluez les problèmes de dédouanement pour correspondre à votre pays, nous avons une équipe de vente professionnelleet équipe technique, nous sommes impatients de travailler avec vous.
Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- D2PAK
- Séries
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4 mOhm @ 40A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 110W (Tc)
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- Package / Boîte
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Autres noms
- 497-10768-1
497-10768-5
497-10768-5-ND
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 3850pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 65nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 40V
- Description détaillée
- N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 80A (Tc)
produits similaires
- STMicroelectronics STB120N4F6
- Fiche technique STB120N4F6
- Fiche technique STB120N4F6
- Fiche technique pdf STB120N4F6
- Télécharger la fiche technique STB120N4F6
- Image STB120N4F6
- Pièce STB120N4F6
- ST STB120N4F6
- STMicroelectronics STB120N4F6