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STGP30M65DF2
STMicroelectronics

STGP30M65DF2

STMicroelectronics
IGBT 650V 30A TO-220AB
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Condition de test
400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C
31.6ns/115ns
énergie de commutation
300µJ (on), 960µJ (off)
Package composant fournisseur
TO-220
Séries
-
Temps de recouvrement inverse (trr)
140ns
Puissance - Max
258W
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-220-3
Autres noms
497-15841-5
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée
Standard
type de IGBT
Trench Field Stop
gate charge
80nC
Description détaillée
IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm)
120A
Courant - Collecteur (Ic) (max)
60A

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