SGSD100
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
- 80V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 3.5V @ 80mA, 20A
- Transistor Type
- NPN - Darlington
- Package composant fournisseur
- TO-247-3
- Séries
- -
- Puissance - Max
- 130W
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-247-3
- Autres noms
- 497-6727-5
SGSD100-ND
- Température de fonctionnement
- -
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Fréquence - Transition
- -
- Description détaillée
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
- Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 500 @ 10A, 3V
- Courant - Collecteur Cutoff (Max)
- 500µA
- Courant - Collecteur (Ic) (max)
- 25A
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