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STP80NF55L-06
STMicroelectronics

STP80NF55L-06

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±16V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-220AB
Séries
STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)
300W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-220-3
Autres noms
497-5898-5
STP80NF55L-06-ND
STP80NF55L06
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
136nC @ 5V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
55V
Description détaillée
N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
80A (Tc)

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