SCT20N120
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 1mA
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- La technologie
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Package composant fournisseur
- HiP247™
- Séries
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 290 mOhm @ 10A, 20V
- Dissipation de puissance (max)
- 175W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-247-3
- Autres noms
- 497-15170
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 650pF @ 400V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 45nC @ 20V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 20V
- Tension drain-source (Vdss)
- 1200V
- Description détaillée
- N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 20A (Tc)
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