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STF260N4F7
STMicroelectronics

STF260N4F7

STMicroelectronics
MOSFET

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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±20V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    TO-220FP
    Séries
    STripFET™ F7
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 60A, 10V
    Dissipation de puissance (max)
    35W (Tc)
    Package / Boîte
    TO-220-3 Full Pack
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Type de montage
    Through Hole
    Délai de livraison standard du fabricant
    38 Weeks
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5640pF @ 25V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
    type de FET
    N-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
    Tension drain-source (Vdss)
    40V
    Description détaillée
    N-Channel 40V 90A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    90A (Tc)

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