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QH8MA2TCR
LAPIS Semiconductor

QH8MA2TCR

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur
TSMT8
Séries
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4.5A, 10V
Puissance - Max
1.25W
Emballage
Cut Tape (CT)
Package / Boîte
8-SMD, Flat Lead
Autres noms
QH8MA2TCRCT
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
type de FET
N and P-Channel
Fonction FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Description détaillée
Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
4.5A, 3A

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