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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD23203W

CSD23203W


MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

    Demande de prix et délais

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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
    Vgs (Max)
    -6V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    6-DSBGA
    Séries
    NexFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Dissipation de puissance (max)
    750mW (Ta)
    Emballage
    Tape & Reel (TR)
    Package / Boîte
    6-UFBGA, DSBGA
    Autres noms
    296-40001-2
    CSD23203W-ND
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Surface Mount
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Délai de livraison standard du fabricant
    35 Weeks
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    914pF @ 4V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    6.3nC @ 4.5V
    type de FET
    P-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    1.8V, 4.5V
    Tension drain-source (Vdss)
    8V
    Description détaillée
    P-Channel 8V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3A (Ta)

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