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STU2N105K5
STMicroelectronics

STU2N105K5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Vgs (Max)
±30V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
IPAK (TO-251)
Séries
MDmesh™ K5
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 750mA, 10V
Dissipation de puissance (max)
60W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms
497-15282-5
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
1050V
Description détaillée
N-Channel 1050V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
1.5A (Tc)

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