MS2472
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
- 65V
- Transistor Type
- NPN
- Package composant fournisseur
- M112
- Séries
- -
- Puissance - Max
- 1350W
- Emballage
- Bulk
- Package / Boîte
- M112
- Température de fonctionnement
- 200°C (TJ)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- -
- Type de montage
- Chassis Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Gain
- 5.6dB
- Fréquence - Transition
- 1.025GHz ~ 1.15GHz
- Description détaillée
- RF Transistor NPN 65V 40A 1.025GHz ~ 1.15GHz 1350W Chassis Mount M112
- Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 5 @ 250mA, 5V
- Courant - Collecteur (Ic) (max)
- 40A
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