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MD2009DFX
STMicroelectronics

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Paramètres de produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
700V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.8V @ 1.4A, 5.5A
Transistor Type
NPN
Package composant fournisseur
ISOWATT-218FX
Séries
-
Puissance - Max
58W
Emballage
Tube
Package / Boîte
ISOWATT218FX
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition
-
Description détaillée
Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
5 @ 5.5A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)
200µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)
10A

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