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STQ2NK60ZR-AP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- TO-92-3
- Séries
- SuperMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8 Ohm @ 700mA, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 3W (Tc)
- Emballage
- Tape & Box (TB)
- Package / Boîte
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Autres noms
- 497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 38 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 170pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 10nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 600V
- Description détaillée
- N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 400mA (Tc)
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