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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > NAND01GW3A2AN6E
NAND01GW3A2AN6E
STMicroelectronics

NAND01GW3A2AN6E

STMicroelectronics
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Écrire le temps de cycle - Word, Page
30ns
Tension - Alimentation
2.7 V ~ 3.6 V
La technologie
FLASH - NAND
Package composant fournisseur
48-TSOP
Séries
-
Emballage
Tray
Package / Boîte
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Autres noms
497-3612
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Type de mémoire
Non-Volatile
Taille mémoire
1Gb (128M x 8)
Interface mémoire
Parallel
Format de mémoire
FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée
FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 48-TSOP
Numéro de pièce de base
NAND01G
Temps d'accès
30ns

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