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STD3NK80Z-1
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- I-PAK
- Séries
- SuperMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 70W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Autres noms
- 497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 485pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 19nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 800V
- Description détaillée
- N-Channel 800V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 2.5A (Tc)
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