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STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 100µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- I2PAK
- Séries
- SuperMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 125W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Autres noms
- 497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 38 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1138pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 56nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 800V
- Description détaillée
- N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 5.2A (Tc)
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