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APT10SCD65K
Microsemi
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - directe (Vf) (max) @ Si
- 1.8V @ 10A
- Tension - inverse (Vr) (max)
- 650V
- Package composant fournisseur
- TO-220 [K]
- La vitesse
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Séries
- -
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 0ns
- Emballage
- Bulk
- Package / Boîte
- TO-220-2
- Température d'utilisation - Jonction
- -55°C ~ 150°C
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Type de diode
- Silicon Carbide Schottky
- Description détaillée
- Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
- Courant - fuite, inverse à Vr
- 200µA @ 650V
- Courant - Rectifié moyenne (Io)
- 17A
- Capacité à Vr, F
- 300pF @ 1V, 1MHz
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