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STD8NM50N
STMicroelectronics

STD8NM50N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
DPAK
Séries
MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs
790 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)
45W (Tc)
Emballage
Cut Tape (CT)
Package / Boîte
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms
497-10958-1
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
364pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
500V
Description détaillée
N-Channel 500V 5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
5A (Tc)

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