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DTC015EMT2L
LAPIS Semiconductor

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Paramètres de produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur
VMT3
Séries
-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)
100 kOhms
Résistance - Base (R1)
100 kOhms
Puissance - Max
150mW
Emballage
Cut Tape (CT)
Package / Boîte
SOT-723
Autres noms
DTC015EMT2LCT
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition
250MHz
Description détaillée
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)
-
Courant - Collecteur (Ic) (max)
20mA

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