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CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.8V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-VSONP (5x6)
- Séries
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.3 mOhm @ 25A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 2.8W (Ta), 108W (Tc)
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- Package / Boîte
- 8-PowerTDFN
- Autres noms
- 296-39994-2
CSD17575Q3-ND
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 35 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Contains lead / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 4420pF @ 15V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 4.5V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 4.5V, 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 30V
- Description détaillée
- N-Channel 30V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 60A (Ta)
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