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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD17575Q3

CSD17575Q3


MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS

    Demande de prix et délais

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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±20V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    8-VSONP (5x6)
    Séries
    NexFET™
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 25A, 10V
    Dissipation de puissance (max)
    2.8W (Ta), 108W (Tc)
    Emballage
    Tape & Reel (TR)
    Package / Boîte
    8-PowerTDFN
    Autres noms
    296-39994-2
    CSD17575Q3-ND
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Surface Mount
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Délai de livraison standard du fabricant
    35 Weeks
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4420pF @ 15V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 4.5V
    type de FET
    N-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
    Tension drain-source (Vdss)
    30V
    Description détaillée
    N-Channel 30V 60A (Ta) 2.8W (Ta), 108W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    60A (Ta)

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