BDV65B
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
- 100V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 2V @ 20mA, 5A
- Transistor Type
- NPN - Darlington
- Package composant fournisseur
- SOT-93
- Séries
- -
- Puissance - Max
- 125W
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-218-3
- Température de fonctionnement
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Fréquence - Transition
- -
- Description détaillée
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
- Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 5A, 4V
- Courant - Collecteur Cutoff (Max)
- 1mA
- Courant - Collecteur (Ic) (max)
- 10A
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