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STF30N10F7
STMicroelectronics

STF30N10F7

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Vgs (Max)
20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-220FP
Séries
DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)
25W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-220-3 Full Pack
Autres noms
497-14554-5
STF30N10F7-ND
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1270pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
100V
Description détaillée
N-Channel 100V 24A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
24A (Tc)

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