APT48M80B2
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 2.5mA
- Vgs (Max)
- ±30V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- T-MAX™ [B2]
- Séries
- POWER MOS 8™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 190 mOhm @ 24A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 1135W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-247-3 Variant
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 17 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 9330pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 305nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 800V
- Description détaillée
- N-Channel 800V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 49A (Tc)
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- Pièce APT48M80B2
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