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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Vgs (Max)
±30V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-220 [K]
Séries
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)
225W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-220-3
Autres noms
APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
600V
Description détaillée
N-Channel 600V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
12A (Tc)

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