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STMicroelectronics

STTH4R02B

STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Tension - Inverse de crête (max)
Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si
4A
Tension - Ventilation
D-Pak
Séries
-
État RoHS
Tube
Temps de recouvrement inverse (trr)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F
-
Polarisation
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température d'utilisation - Jonction
30ns
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Référence fabricant
STTH4R02B
Description élargie
Diode Standard 200V 4A Surface Mount D-Pak
Configuration diode
3µA @ 200V
La description
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr
1.05V @ 4A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
200V
Capacité à Vr, F
175°C (Max)

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