2N6768
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- TO-3
- Séries
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 400 mOhm @ 14A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 4W (Ta), 150W (Tc)
- Emballage
- Bulk
- Package / Boîte
- TO-204AE
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 110nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 400V
- Description détaillée
- N-Channel 400V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 14A (Tc)
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- Image 2N6768
- Pièce 2N6768
- Microsemi 2N6768
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