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STL160NS3LLH7
STMicroelectronics

STL160NS3LLH7

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
PowerFlat™ (5x6)
Séries
DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)
84W (Tc)
Emballage
Cut Tape (CT)
Package / Boîte
8-PowerVDFN
Autres noms
497-14988-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3245pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
30V
Description détaillée
N-Channel 30V 160A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
160A (Tc)

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