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CSD17551Q3A
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-SON (3.3x3.3)
- Séries
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9 mOhm @ 11A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 2.6W (Ta)
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- Package / Boîte
- 8-PowerVDFN
- Autres noms
- 296-35025-1
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1370pF @ 15V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.8nC @ 4.5V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 4.5V, 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 30V
- Description détaillée
- N-Channel 30V 12A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-SON (3.3x3.3)
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 12A (Tc)
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