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STS19N3LLH6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-SO
- Séries
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 2.7W (Ta)
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- Package / Boîte
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Autres noms
- 497-12677-2
STS19N3LLH6-ND
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 1690pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 17nC @ 15V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 4.5V, 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 30V
- Description détaillée
- N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 19A (Tc)
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