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1N484B
Microsemi
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Inverse de crête (max)
- Standard
- Tension - directe (Vf) (max) @ Si
- 200mA
- Tension - Ventilation
- DO-35
- Séries
- -
- État RoHS
- Bulk
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- Résistance @ Si, F
- -
- Polarisation
- DO-204AH, DO-35, Axial
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Référence fabricant
- 1N484B
- Description élargie
- Diode Standard 125V 200mA Through Hole DO-35
- Configuration diode
- 25nA @ 125V
- La description
- DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
- Courant - fuite, inverse à Vr
- 1V @ 100mA
- Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
- 125V
- Capacité à Vr, F
- -65°C ~ 200°C
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