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STP160N75F3
STMicroelectronics

STP160N75F3

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-220AB
Séries
STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)
330W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-220-3
Autres noms
497-7508-5
STP160N75F3-ND
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6750pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
75V
Description détaillée
N-Channel 75V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
120A (Tc)

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