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STS3P6F6
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-SO
- Séries
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 160 mOhm @ 1.5A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 2.7W (Tc)
- Emballage
- Original-Reel®
- Package / Boîte
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Autres noms
- 497-13785-6
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 340pF @ 48V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.4nC @ 10V
- type de FET
- P-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 60V
- Description détaillée
- P-Channel 60V 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- -
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