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CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.6V @ 250µA
- Vgs (Max)
- +10V, -8V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-VSON-CLIP (5x6)
- Séries
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2 mOhm @ 30A, 8V
- Dissipation de puissance (max)
- 3.2W (Ta)
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- Package / Boîte
- 8-PowerTDFN
- Autres noms
- 296-27625-2
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 35 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Contains lead / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 4280pF @ 15V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 31nC @ 4.5V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 3V, 8V
- Tension drain-source (Vdss)
- 30V
- Description détaillée
- N-Channel 30V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 32A (Ta), 100A (Tc)
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- Image CSD17311Q5
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