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STB80NF55-08T4
STMicroelectronics

STB80NF55-08T4

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
D2PAK
Séries
STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)
300W (Tc)
Emballage
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms
497-3737-2
STB80NF5508T4
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3850pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
55V
Description détaillée
N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
80A (Tc)

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