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2N3019
STMicroelectronics

2N3019

STMicroelectronics
TRANS NPN 80V 1A TO-39
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type
NPN
Package composant fournisseur
TO-39
Séries
-
Puissance - Max
800mW
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Autres noms
497-2634-5
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition
100MHz
Description détaillée
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 800mW Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)
1A
Numéro de pièce de base
2N3019

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