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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STD5NM50T4
STD5NM50T4
STMicroelectronics

STD5NM50T4

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
DPAK
Séries
MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)
100W (Tc)
Emballage
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms
497-3162-2
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
415pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
500V
Description détaillée
N-Channel 500V 7.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
7.5A (Tc)

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